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辰矽电子申请JFET输入型运算放大器偏置电流补偿电路专利使JFET输入级结构的偏置电流在工作温度范围内保持在极低值

  国家知识产权局信息显示,贵州辰矽电子科技有限公司申请一项名为“一种JFET输入型运算放大器偏置电流补偿电路”的专利,公开号CN121098255A,申请日期为2025年7月。

  专利摘要显示,本申请公开了一种JFET输入型运算放大器偏置电流补偿电路,通过PJFET晶体管PJ5和PJ6(或者LPNP晶体管LP20和LP21)构成偏置电流补偿结构,产生与温度成比例的补偿电流,当温度升高导致JFET栅极漏电流增加时,设计的电流补偿电路产生反向补偿电流对JFET输入结构进行电流补偿,抵消因温度升高引起的额外漏电流,使JFET输入级结构的输入偏置电流在工作温度范围内保持在极低值,解决了目前的运算放大器设计中,尚未有通过电路结构形式对栅极漏电流进行补偿的电路结构,无法在高温条件下对JFET输入级的漏电流进行动态补偿的技术问题。

  天眼查资料显示,贵州辰矽电子科技有限公司,成立于2012年,位于贵阳市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析,贵州辰矽电子科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目4次,财产线条,此外企业还拥有行政许可3个。

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